本发明公开了一种碲化镁合金及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：按照摩尔比为1：(1～1.25)准备镁块、碲块；将镁块均匀的分成n块，将碲块均匀的分成n‑1块，将镁块和碲块采用交替叠块的方法进行叠块；将叠块后的物料置于单晶炉中，先将单晶炉抽真空后充氩气，重复3～5次，升温至680～800℃，保温2～3h，再升温至850～1200℃，保温4～6h，冷却，得到碲化镁合金；n为3或4。本发明按照特定的摩尔比将镁块、碲块均匀的分成n块、n‑1块，采用交替叠块的方法进行叠块，而后在氩气保护下，进
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117702276A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202311720795.9
(22)申请日2023.12.14
(71)申请人先导薄膜材料（广东）有限公司
地址